LatticePower (Jiangxi) Corporation
CN-Welt-Pionier GaN-on-Silicon-LED seit 2006 — UV-Curing/IR/General-Lighting aus Nanchang, Nanchang-University-Spinout, 2016 National-Tech-Invention-Award.
Über das Unternehmen
LatticePower (Jiangxi) Corporation (晶能光电有限公司) ist chinesischer LED-Chip-Hersteller und Welt-Pionier fuer GaN-on-Silicon-LED-Technologie. Gegruendet im Februar 2006 als Spinout aus der Nanchang University, HQ in Nanchang (Jiangxi, National High-Tech Industrial Development Zone, Aixi Lake). Erste Firma weltweit, die hochleistungs-GaN-LEDs auf Silizium-Substrat (statt Saphir) kommerzialisiert hat — Vorteile: bessere thermische Eigenschaften, niedrigere Rohstoffkosten, groessere Wafer-Sizes. April 2008 Produktions-Werk online. 2009 Mid-Low-Power-LED-Chip-Production. 2014 USD 80 Mio Round-A-Funding gefuehrt von GSR Ventures. Januar 2016 erhielt die GaN-on-Silicon-LED-Technologie (gemeinsam entwickelt mit Nanchang University und CECEP Lattice Lighting Co. Ltd) den 1. Preis des Chinas National Technology Invention Award. UV-Aktivitaet: UVA-LEDs fuer UV-Curing-Anwendungen als Teil des breiten Portfolios (mobile, automotive, IR-Surveillance, TV-Backlighting, General-Lighting, AR/VR).
Branchen-Story · Lifecycle
- 01.02.2006 Gründung
LatticePower gegruendet als Nanchang-University-Spinout (2006)
LatticePower (Jiangxi) Corporation wurde im Februar 2006 in Nanchang als Spinout aus der Nanchang University gegruendet, mit dem Ziel die universitaere GaN-on-Silicon-LED-Forschung zu kommerzialisieren. Erste Firma weltweit die diese Technologie produktreif machte (statt der konventionellen Saphir-Substrate).
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- 01.04.2008 Launch
Silizium-LED-Produktions-Werk online (2008)
Im April 2008 wurde das erste GaN-on-Silicon-LED-Produktions-Werk von LatticePower in Nanchang in Betrieb genommen. Damit war LatticePower die erste Firma weltweit mit kommerzieller Produktions-Linie fuer Si-Substrate-LEDs.
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- 01.07.2014 Launch
USD 80 Mio Round-A-Funding (2014)
Im Juli 2014 schloss LatticePower eine USD 80 Mio Round-A-Finanzierungsrunde, gefuehrt von GSR Ventures. Kapital floss in Skalierung der GaN-on-Silicon-Produktions-Kapazitaet.
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- 08.01.2016 Regulatorisch
National Technology Invention Award 1st Prize fuer GaN-on-Si (2016)
Im Januar 2016 erhielt die GaN-on-Silicon-LED-Technologie — gemeinsam entwickelt von LatticePower, Nanchang University und CECEP Lattice Lighting Co. Ltd — den 1. Preis des chinesischen National Technology Invention Award. Das ist die hoechste staatliche Auszeichnung fuer technische Innovation in China.
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